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美浦森获得一种别离栅MOSFET的沟槽深度的监测设备及办法专利

时间: 2025-02-19 02:32:52 |   作者: 铁路护栏网

  金融界2024年12月31日音讯,国家知识产权局信息数据显现,深圳市美浦森半导体有限公司获得一项名为“一种别离栅MOSFET的沟槽深度的监测设备及办法”的专利,授权公告号CN 118737874 B,请求日期为2024年8月。

  天眼查资料显现,深圳市美浦森半导体有限公司,成立于2014年,坐落深圳市,是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册本钱2472.9613万人民币,实缴本钱1627.704766万人民币。经过天眼查大数据分析,深圳市美浦森半导体有限公司共对外出资了1家企业,参加招投标项目2次,知识产权方面有商标信息11条,专利信息63条,此外企业还具有行政许可19个。

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